SiC 반도체 킬러 결함
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Powered by Claude- 한국전기연구원(KERI) 차세대반도체연구센터 나문경 박사팀이 충남대 홍순구 교수팀과 함께 SiC(탄화규소) 전력반도체 제조 과정에서 발생하는 '킬러 결함'의 내부 구조와 발생 원리를 세계 최초로 규명했다.
- 이 성과는 국제학술지에 게재되었으며, SiC 전력반도체는 고온·고압의 가혹한 환경에서 사용되는 차세대 반도체다.
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